碳化矽肖特基二極體真的沒有反向恢復電流嗎？哪位專業人士知道？

高頻快恢復二極體就是反向恢復速度很快且頻率快的意思。快恢復二極體（簡稱FRD）是一種具有開關特性好、反向恢復時間短特點的半導體二極體，主要應用於開關電源、PWM脈寬調製器、變頻器等電子電路中，作為高頻整流二極體、續流二極體或阻尼二極體使用。 快恢復二極體的內部結構與普通PN結二極體不同，它屬於PIN結型二極體，即在P型矽材料與N型矽材料中間增加了基區I，構成PIN矽片。因基區很薄，反向恢復電荷很小，所以快恢復二極體的反向恢復時間較短，正向壓降較低，反向擊穿電壓（耐壓值）較高。

記得功率肖特基二極體剛出現的時候，很多文章都告訴我們：肖特基二極體是多數載流子導電的，不存在反向恢復電流。 如果現在還有人這麼說，有經驗的開關電源工程師都會對此嗤之以鼻吧。 按照一些更詳細的肖特基二極體模型，這種二極體內部實際上還是存在少數載流子的，只不過這些少數載流子可以說是在電場中感應出來的，數量相對較少。通常少數載流子電流在總電流中所占的份額比較少。 矽基肖特基二極體反向恢復時間，現在似乎一般認為不超過10ns。 SiC肖特基二極體做為一種新型的功率器件，在某些方面相對原有的快恢復二極體性能有明顯的優勢，特別是反向恢復電流這個參數。 現在很多文章都宣稱，SiC SBD沒有反向恢復電流。說實在的，我對此很有疑慮，從原理上來講，似乎這是說不通的。 昨晚我我無意中在一篇論文裡面見到一個表格，這個表格或許能解答這個問題（當然，這些資料的來源可靠性我不敢保證）： 根據這個表格裡面的資料，SiC中的少子壽命居然比Si小6個數量級，這就意味著SiC PN結的反向恢復時間只有Si N結的約100萬分之一！ 雖然快恢復二極體中，採用摻雜金原子等手段來減少少數載流子的壽命，兩種材料的開關速度相差不至於到100萬倍的差異，但從這些資料我們可以大致認為SiC二極體可以擁有比Si二極體短的多的反向回復時間。 另一方面，Si SBD由於其原理反向恢復時間比超快恢復二極體反向恢復時間更短。同理，我們也可以預期SiC SBD的反向恢復時間也能比SiC PN結短。 結論： 根據已知的資料，大概我們可以合理的認為SiC SBD應該有一個非常短的反向恢復時間。 而且，我們還可以預期SiC SBD的反向恢復非常短，以至於在MOSFET有限的開關速度驅動下，我們甚至幾乎無法測量到明顯的反向恢復波形——我們能夠測量到的類似波形，基本上可以由二極體的結電容來解釋。