求解釋發光二極體的工作原理？

發光二極體簡稱為LED。由鎵(Ga)與砷(AS)、磷(P)的化合物製成的二極體，當電子與空穴複合時能輻射出可見光，因而可以用來製成發光二極體。在電路及儀器中作為指示燈，或者組成文字或數字顯示。磷砷化鎵二極體發紅光，磷化鎵二極體發綠光，碳化矽二極體發黃光一定的電流後，電子與空穴不斷流過PN結或與之類似的結構面，並進行自發複合產生輻射光的二極體半導體器件。

基本上,發光二極體只是一個微小的電燈泡。但不像常見的白熾燈泡，發光二極體沒有燈絲，而且又不會特別熱。它單單是由半導體材料裡的電子移動而使它發光。 什麼是二極體 二極體是半導體設備中的一種最常見的器件,大多數半導體最是由攙雜半導體材料製成(原子和其它物質)發光二極體導體材料通常都是鋁砷化稼,在純鋁砷化稼中,所有的原子都完美的與它們的鄰居結合,沒有留下自由電子連接電流。在攙雜物質中，額外的原子改變電平衡，不是增加自由電子就是創造電子可以通過的空穴。這兩樣額外的條件都使得材料更具傳導性。帶額外電子的半導體叫做N型半導體，由於它帶有額外負電粒子，所以在N型半導體材料中，自由電子是從負電區域向正電區域流動。帶額外“電子空穴”的半導體叫做P型半導體，由於帶有正電粒子。電子可以從另一個電子空穴跳向另一個電子空穴，從從負電區域向正電區域流動。 因此，電子空穴本身就顯示出是從正電區域流向負電區域。二極體是由N型半導體物質與P型半導體物質結合，每端都帶電子。這樣排列使電流只能從一個方向流動。當沒有電壓通過二極體時，電子就沿著過渡層之間的匯合處從N型半導體流向P型半導體，從而形成一個損耗區。在損耗區中，半導體物質會回復到它原來的絕緣狀態--所有的這些“電子空穴”都會被填滿，所有就沒有自由電子或電子真空區和電流不能流動。 為了除掉損耗區就必須使N型向P型移動和空穴應反向移動。為了達到目的，連接二極體N型一方到電流的負極和P型就連接到電流的正極。這時在N型物質的自由電子會被負極電子排斥和吸引到正極電子。在P型物質中的電子空穴就移向另一方向。當電壓在電子之間足夠高的時候，在損耗區的電子將會在它的電子空穴中和再次開始自由移動。損耗區消失，電流流通過二極體。 如果嘗試使電流向其它方向流動，P型端就邊接到電流負極和N型連接到正極，這時電流將不會流動。N型物質的負極電子被吸引到正極電子。P型物質的正極電子空穴被吸引到負極電子。因為電子空穴和電子都向錯誤的方向移動所以就沒有電流流通過匯合處，損耗區增加。 為什麼二極體會發光 光是能量的一種形式，一種可以被原子釋放出來。是由許多有能量和動力但沒品質的微小粒子似的小捆組成的。這些粒子被叫做光子，是光的最基本單位。光子是因為電子移動才釋放出來。在原子中，電子在原子的四周圍以軌道形式移動。電子在不同的軌函數有著不同等的能量。通常來說，有著更大能量的電子以軌道移動遠離了核子。當電子從一個更低的軌道跳到一個更高的軌道，能量水準就增高，反過來，當從更高軌函數跌落到更低的軌函數裡時電子就會釋放能量。能量是以光子形式釋放出來的。更高能量下降釋放更高能量的光子，它的特點在於它的高頻率。 自由電子從P型層通過二極體落入空的電子空穴。這包含從傳導帶跌落到一個更低的軌函數，所以電子就是以光子形式釋放能量。這在任何二極體裡都會發生的，當二極體是由某種物質組成的時候，你只是可以看見光子。在標準矽二極體的原子，比如說，當電子跌落到相對短距離原子是以這樣的方式排列。結果，由於電子頻率這麼低的情況下人的眼睛是無法看得到的。 可見光發光二極體，比如用在數字顯示式時鐘的，間隙的大小決定了光子的頻率，換句話說就是決定了光的色彩。當所有二極體都發出光時，大多數都不是很有效的。在普通二極體裡，半導體材料本身吸引大量的光能而結束。發光二極體是由一個塑性燈泡覆蓋集中燈光在一個特定方向。 發光二極體比傳統的白熾燈有幾個優點。第一個是發光二極體沒有燈絲會燒壞，所以壽命就更長。此外，發光二極體的小小塑性燈泡使得發光二極體更持久耐用。還可以更加容易適合現在的電子電路。傳統白熾燈的發光過程包含了產生大量熱量。這是完全是浪費能源。除非你把燈當做發熱器用，因為絕大部分有效電流並不是直接產生可見光的。發光二極體所發出的熱非常少，相對來說，越多電能直接發光就是越大程度上減少對電能的需求。 直到現在，因為是用先進半導體材料製造所以發光二極體在大多數照明應用上還過於昂貴。半導體器件的價格在過去10年裡大幅度地降低，然而，使得發光二極體在更廣的應用下的一個更划算照明選擇，在不遠的將來，發光二極體將會在世界技術上扮演更加大的角色。 .

發光二極體簡稱為LED。由鎵(Ga)與砷(AS)、磷(P)的化合物製成的二極體，當電子與空穴複合時能輻射出可見光，因而可以用來製成發光二極體。在電路及儀器中作為指示燈，或者組成文字或數字顯示。磷砷化鎵二極體發紅光，磷化鎵二極體發綠光，碳化矽二極體發黃光一定的電流後，電子與空穴不斷流過PN結或與之類似的結構面，並進行自發複合產生輻射光的二極體半導體器件

晶體二極管為一個由p型半導體和n型半導體形成的p-n結，在其介面處兩側形成空間電荷層，並建有自建電場。當不存在外加電壓時，由於p-n 結兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處於電平衡狀態。當外界有正向電壓偏置時，外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流。當外界有反向電壓偏置時，外界電場和自建電場進一步加強，形成在一定反向電壓範圍內與反向偏置電壓值無關的反向飽和電流I0。當外加的反向電壓高到一定程度時，p-n結空間電荷層中的電場強度達到臨界值產生載流子的倍增過程，產生大量電子空穴對，產生了數值很大的反向擊穿電流，稱為二極體的擊穿現象。p-n結的反向擊穿有齊納擊穿和雪崩擊穿之分。